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Semicon China收官 | 掌控自主链,高精MLS211M出击,订单印证实力

浏览数量: 4     作者: 本站编辑     发布时间: 2026-04-13      来源: 本站

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3月25日~27日,由国际半导体产业协会(SEMI)主办的Semicon China 2026圆满落幕。作为全球半导体行业盛会,本次展会汇聚产业链上下游核心企业、技术精英与行业伙伴,成为展现全球半导体技术迭代与产业布局的核心舞台。

作为专注质谱研发与半导体气体检测的高新技术企业,上海爱柯锐科技有限公司(ACT) 深耕质谱领域多年,团队源自高校与科研院所,以ACT—Accurate为品牌理念,聚焦芯片制造“高精度、高稳定、高安全”核心需求。此次公司携完全自主知识产权的新一代MLS211M集成智能化一体式在线气体分析仪重磅亮相,凭借全链自主的硬核实力,成为现场焦点,收获业界高度关注与广泛认可。

从核心离子源、高精度检测器,到整机系统、智能软件与通讯协议,爱柯锐实现关键部件100%自研、国产,全面构建“材料—部件—系统—软件—通讯”全链条自主能力,以精准与稳定可靠,为半导体工艺安全、良率提升筑牢防线。

长期以来,半导体工艺气体检测与残余气体分析(RGA)市场长期被欧美日企业垄断,成为制约国内半导体产业高质量发展的“卡脖子”痛点。直面行业困境,爱柯锐逆势突围,展会重磅推出MLS211M高精半导体工艺气体过程检测仪,正式打响国产高端在线气体分析突围战,为国产替代注入强劲动力。

核心展品:MLS211M 高精半导体工艺气体过程检测仪

新一代集成智能化一体式在线气体分析仪

MLS211M专为先进芯片制造严苛环境打造,是集泄漏检测、工艺气体监控、腔体洁净度检测、制程终点检测于一体的多功能气体分析解决方案,全面覆盖半导体制造高精度过程监控与质量控制需求。

MLS211M产品主图

MLS211M高精气体分析仪

核心技术亮点

- 超高检测灵敏度

最低检测限可达3e-13 Pa,精准识别ppb级微量杂质气体,有效避免O₂、H₂O等微量杂质导致芯片缺陷。

- 宽量程与高分辨率

分子质量检测范围最高300amu,质谱分辨率0.5–2.5amu可调,避免SiH₄、NH₃等工艺气体与H₂O、CO杂质误判,多气体同步监测。

- 极速响应速度

驻留时间最快1ms,测试响应小于1s,实时捕捉工艺变化,避免过度刻蚀/沉积影响晶圆良率。

- 高稳定与抗污染能力

离子源抗腐蚀设计,耐受Cl₂、F₂等腐蚀性气体;支持原位清洁,长期运行漂移小,无需频繁校准,大幅降低维护成本。

- 超强兼容与自动化集成

分子泵与前级泵分离设计,机身小巧,可直连腔室/真空管路;支持SEMI标准SECS/GEM协议,无缝对接MES系统,实现“自动检测—数据上传—异常报警”闭环管控。

- 一体式便捷设计

内置多压力反应阀组,覆盖常压到超高真空;内置标气/标漏,一键校准;带安装导轨,任意角度安装,易用性拉满。

MLS211M功能示意图

MLS211M高精气体分析仪

全场景典型应用(四大核心场景)

1. 泄漏检测与定位

极速响应、高精度灵敏度、多组分同步识别、原位非侵入式检漏、泄漏源精准追溯。

2. 工艺气体监控

原位直采、痕量级精度、多组分同步分析、数据智能联动,支撑主动工艺优化。

3. 腔体洁净度检测

实时污染预警、高灵敏度捕捉痕量污染物、多组分一次性全覆盖。

4. 制程终点检测

刻蚀/薄膜剥离等制程精准判终点,通过副产物浓度变化实现闭环控制。

泄漏测试数据图

腔体洁净度/刻蚀终点监测图

腔体洁净度/刻蚀终点监测图

核心规格速览

- 质量范围:1–300u,分辨率0.5–2.5u

- 总压范围:5E-9 mbar ~ 1000 mbar

- 最小可检分压:最低1e-13 mbar

- 扫描速度:1ms–16s/u

- 通讯:支持SECS/GEM、MES对接

- 尺寸:593180366mm,重量10–13kg

值得关注的是,MLS211M已在多家头部半导体客户完成产线验证并实现批量销售,订单持续落地,充分印证产品性能与市场认可度,进一步夯实爱柯锐在国产半导体高端气体检测领域的领先地位。

以全自研护航半导体工艺安全,以全链自主重塑检测格局。爱柯锐始终以技术创新为核心,深耕高端质谱与气体分析设备研发,助力国内半导体产业打破国外垄断、实现自主可控。

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